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ZXMN3A04DN8TC

更新时间： 2024-10-14 07:42:31

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美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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7页	188K
描述
DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN3A04DN8TC 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.2	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	6.5 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMN3A04DN8TC 数据手册

ZXMN3A04DN8

DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

V_(BR)DSS= 30V; R_DS(ON)= 0.02 ; I_D= 8.5A

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique

structure that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching

speed. This m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power

m anagem ent applications.

FEATURES

SO8

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

Low profile SOIC package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Power Managem ent Functions

Disconnect switches

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL TAPE

QUANTITY

PER REEL

PINOUT

WIDTH

12m m

ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TC

7’‘

500 units

13’‘

2500 units

DEVICE MARKING

ZXMN

3A04D

Top view

ISSUE 2 - OCTOBER 2002

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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