ZXMN3A04KTC

更新时间： 2024-09-13 07:42:31

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK

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ZXMN3A04KTC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	66 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMN3A04KTC 数据手册

ZXMN3A04K

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK

SUMMARY

=30V : R

=0.02 ; I =18.4A

(BR)DSS

DS(on)

DESCRIPTION

This new generation of Trench MOSFETs from Zetex

utilizes a unique structure that com bines the benefits of

low on-resistance with fast switching speed. This

m akes them ideal for high efficiency, low voltage

power m anagem ent applications.

FEATURES

DPAK

• Low on-resistance

• Fast switching speed

• Low threshold

• Low gate drive

• DPAK (TO252) package

APPLICATIONS

• DC-DC converters

• Power m anagem ent functions

• Disconnect switches

• Motor control

PINOUT

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

S IZE

QUANTITY PER

REEL

TAPE WIDTH

13”

16m m

2500 units

ZXMN3A04KTC

DEVICE MARKING

• ZXMN

3A04K

TOP VIEW

ISSUE 1 - FEBRUARY 2004

S E M IC O N D U C T O R S

12 3 4 5 6 7

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