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ZXMN3A02X8TA

更新时间： 2024-10-14 07:42:31

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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7页	452K
描述
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMN3A02X8TA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	17 weeks	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	5.3 A
最大漏源导通电阻：	0.025 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-187AA	JESD-30 代码：	S-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMN3A02X8TA 数据手册

ZXMN3A02X8

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

=30V; R

=0.025 I =6.7A

DS(ON) D

(BR)DSS

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure

that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management

applications.

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

Low profile SOIC package

APPLICATIONS

•

DC - DC Converters

Power Management Functions

Disconnect switches

Motor control

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL

SIZE

TAPE

WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TC

7”

12mm

1000 units

4000 units

13”

DEVICE MARKING

Top View

•

ZXMN

3A02

ISSUE 1 - JANUARY 2002

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZXMN3A02X8TC	ZETEX	获取价格	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3A02X8TC	DIODES	获取价格	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN3A03E6	ZETEX	获取价格	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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