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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DFN |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 17 weeks | 风险等级： | 1.7 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.12 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-N8 | JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| ZXMC3F31DN8 | ZETEX | 30V SO8 Complementary dual enhancement mode MOSFET |
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| ZXMC3F31DN8 | DIODES | 30V SO8 Complementary dual enhancement mode |
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| ZXMC3F31DN8TA | DIODES | 30V SO8 Complementary dual enhancement mode |
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| ZXMC3F31DN8TA | ZETEX | 30V SO8 Complementary dual enhancement mode MOSFET |
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| ZXMC4559DN8 | ZETEX | COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMC4559DN8 | DIODES | COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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