ZVN4106F

更新时间： 2024-10-14 07:42:43

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美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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2页	45K
描述
SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN4106F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	0.82	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	2.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	8 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVN4106F 数据手册

SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT

ZVN4106F

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 – DECEMBER 1995

PARMARKING DETAIL - MZ

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo lta g e

Co n tin u o u s Drain Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls ed Dra in Cu rre n t

I_D

0.2

I_DM

Ga te-S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Max Po w e r Dis s ip a tio n at T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

330

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre a kd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

I_D=1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th re s h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

1.3

I_D=1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

100

n A

_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

V_DS=60V, V_GS=0

µA

V_DS=48V, V_GS=0V, T=125°C(2)

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

V_DS=25V, V_GS=10V

V_GS=10V, I_D=500m A

S tatic Drain -S o u rce On -S ta te

Res ista n ce (1)

R_{DS (o n )}

2.5

Ω

V_GS=5V, I_D=200m A

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce(1)(2g _fs

)

150

m S

V_DS=25V, I_D=250m A

In p u t Ca p a cita n ce (2)

C_{is s}

C_{o s s}

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r Cap acita n ce C_{rs s}

(2)

p F

Tu rn -On De la y Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

T_{d (o n )}

n s

T_r

V_DD≈25V, I_D=150m A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

T_{d (o ff)}

T_f

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.

(3) Switching tim es m easured with 500Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

Spice param eter data is available upon request for this device

3 - 399

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ZVN4106F 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZVN3306F	DIODES	类似代替	SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
2N7002	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
2N7002F	NXP	功能相似	TrenchMOS Logic Level FET

与ZVN4106F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN4106FCT	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4106FTA	TYSEMI	获取价格	SOT-23
ZVN4106FTA	DIODES	获取价格	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET IN SOT23
ZVN4106FTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4206A	ZETEX	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4206A	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4206A(3)	ZETEX	获取价格
ZVN4206AM1	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4206ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4206ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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