ZVN4206A

更新时间： 2024-10-13 22:06:23

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管开关
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN4206A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.05	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.6 A
最大漏极电流 (ID)：	0.6 A	最大漏源导通电阻：	1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	20 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVN4206A 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN4206A

ISSUE 2 – JUNE 94

FEATURES

60 Volt V_DS

R_DS(on)= 1 Ω

E-LINE

TO92 COMPATIBLE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

600

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

0.7

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

I_D=1mA, V_GS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

1.3

ID=1mA, V_DS= V_GS

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

100

_GS=± 20V, V_DS=0V

Zero Gate Voltage Drain

Current

100

_DS=60V, V_GS=0

_DS=48V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

V_DS=25V, V_GS=10V

Static Drain-Source On-State

Resistance (1)

R_DS(on)

1.5

_GS=10V,I_D=1.5A

_GS=5V,I_D=500mA

Ω

Forward Transconductance(1)(2g_fs

)

300

V_DS=25V,I_D=1.5A

Input Capacitance (2)

C_iss

100

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance C_rss

(2)

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

_DD≈25V, I_D=1.5A

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.

(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

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