ZVN4206G

更新时间： 2024-11-29 22:06:23

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN4206G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.09	其他特性：	FAST SWITCHING
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	20 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	27 ns
最大开启时间（吨）：	20 ns	Base Number Matches：	1

ZVN4206G 数据手册

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN4206G

ISSUE 3 - J ANUARY 1996

✪

FEATURES

Com pact geom etry

Fast switching speeds

No secondary breakdown and Excellent tem perature stability

High input im pedance and low current drive

Ease of parralleling

APPLICATIONS

DC-DC converters

Solenoid / relay drivers for autom otive applications

Stepper m otor drivers and Print head drivers

PARTMARKING DETAIL -

ZVN4206

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

Continuous Drain Current at T_{am b}=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_{am b}=25°C

Operating and Storage Tem perature Range

P_tot

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

3 - 401

12 3 4

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