Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZVN4206ASTOB

ZVN4206ASTOB

更新时间： 2024-10-03 12:59:19

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	101K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ZVN4206ASTOB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.06	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.6 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVN4206ASTOB 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN4206A

ISSUE 2 – JUNE 94

FEATURES

60 Volt V_DS

R_DS(on)= 1 Ω

E-LINE

TO92 COMPATIBLE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

600

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

0.7

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

I_D=1mA, V_GS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

1.3

ID=1mA, V_DS= V_GS

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

100

_GS=± 20V, V_DS=0V

Zero Gate Voltage Drain

Current

100

_DS=60V, V_GS=0

_DS=48V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

V_DS=25V, V_GS=10V

Static Drain-Source On-State

Resistance (1)

R_DS(on)

1.5

_GS=10V,I_D=1.5A

_GS=5V,I_D=500mA

Ω

Forward Transconductance(1)(2g_fs

)

300

V_DS=25V,I_D=1.5A

Input Capacitance (2)

C_iss

100

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance C_rss

(2)

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

_DD≈25V, I_D=1.5A

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.

(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

12 3

中文翻译

下载PDF

与ZVN4206ASTOB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVN4206ASTZ	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4206AV	ZETEX	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4206AV	DIODES	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4206AVSTZ	DIODES	获取价格	Transistor
ZVN4206C	ZETEX	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN4206CSM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4206CSMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4206CSMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4206CSMTC	DIODES	获取价格	暂无描述
ZVN4206CSTOA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与ZVN4206ASTOB相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

33
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

30
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

42

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZVN4206ASTOB

ZVN4206ASTOB 技术参数

ZVN4206ASTOB 数据手册

与ZVN4206ASTOB相关器件

与ZVN4206ASTOB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

ZVN4206ASTOB

ZVN4206ASTOB 技术参数

ZVN4206ASTOB 数据手册

与ZVN4206ASTOB相关器件

与ZVN4206ASTOB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？