ZVN4206A

更新时间： 2024-01-07 13:28:23

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美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管开关
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN4206A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.9 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

ZVN4206A 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVN4206A

ISSUE 2 – JUNE 94

FEATURES

60 Volt V_DS

R_DS(on)= 1 Ω

E-LINE

TO92 COMPATIBLE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

600

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

0.7

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

I_D=1mA, V_GS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

1.3

ID=1mA, V_DS= V_GS

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

100

_GS=± 20V, V_DS=0V

Zero Gate Voltage Drain

Current

100

_DS=60V, V_GS=0

_DS=48V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

V_DS=25V, V_GS=10V

Static Drain-Source On-State

Resistance (1)

R_DS(on)

1.5

_GS=10V,I_D=1.5A

_GS=5V,I_D=500mA

Ω

Forward Transconductance(1)(2g_fs

)

300

V_DS=25V,I_D=1.5A

Input Capacitance (2)

C_iss

100

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer Capacitance C_rss

(2)

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

_DD≈25V, I_D=1.5A

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.

(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

12 3

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ZVN4206A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BS170P	DIODES	类似代替	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET
ZVN3306ASTZ	DIODES	类似代替	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
ZVN4206AV	DIODES	类似代替	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVN4206ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4206ASMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4206ASMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
ZVN4206ASTOA	DIODES	获取价格	600mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
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