是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | HVSON, SOLCC8,.25 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 8.33 | 备用内存宽度: | 1 |
最大时钟频率 (fCLK): | 104 MHz | 数据保留时间-最小值: | 20 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-N8 |
长度: | 6 mm | 内存密度: | 33554432 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 4MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | HVSON |
封装等效代码: | SOLCC8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8 V |
编程电压: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 0.8 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.00002 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 5 mm | 写保护: | HARDWARE/SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
W25Q32DWZPIG | WINBOND |
功能相似 |
1.8V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W25Q32FWZPIG TR | ETC |
获取价格 |
IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON | |
W25Q32FWZPIG-TR | WINBOND |
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1.8V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q32FWZPIQ | WINBOND |
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1.8V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI | |
W25Q32JV | WINBOND |
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3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL, QUAD SPI | |
W25Q32JVDAIQ | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 4MX8, PDIP8, DIP-8 | |
W25Q32JVSFIM | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 4MX8, PDSO16, SOIC-16 | |
W25Q32JVSFIQ | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 4MX8, PDSO16, SOIC-16 | |
W25Q32JVSFIQ-TR | WINBOND |
获取价格 |
3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL, QUAD SPI | |
W25Q32JVSSIM | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 4MX8, PDSO8, SOIC-8 | |
W25Q32JVSSIQ | WINBOND |
获取价格 |
3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL, QUAD SPI |