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W25Q32JVSSIQ

更新时间: 2024-11-09 01:04:07
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华邦 - WINBOND 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
76页 2750K
描述
3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL, QUAD SPI

W25Q32JVSSIQ 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SOP,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:1.77
Samacsys Description:NOR Flash spiFlash, 32M-bit, DTR, 4Kb Uniform Sector其他特性:2.7V NOMINAL AVAILABLE WITH 104MHZ
备用内存宽度:1最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
JESD-30 代码:S-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:5.28 mm内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):260
编程电压:3 V座面最大高度:2.16 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:5.28 mm

W25Q32JVSSIQ 数据手册

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W25Q32JV  
3V 32M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
DUAL, QUAD SPI  
Publication Release Date: August 30, 2016  
-Revision C  

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