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W25Q32JVSSIQTR

更新时间: 2024-09-20 20:51:43
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
80页 2468K
描述
Flash, 4MX8, PDSO8, SOIC-8

W25Q32JVSSIQTR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOP,Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:1.67备用内存宽度:1
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzJESD-30 代码:S-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:5.28 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:8字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:4MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED编程电压:3 V
座面最大高度:2.16 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
类型:NOR TYPE宽度:5.28 mm
Base Number Matches:1

W25Q32JVSSIQTR 数据手册

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W25Q32JV  
3V 32M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
DUAL, QUAD SPI  
Publication Release Date: May 11, 2017  
-Revision F  

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