Datasheet > W25Q32JVDAIQ

W25Q32JVDAIQ

更新时间： 2024-09-20 19:43:11

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

W25Q32JVDAIQ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	DIP,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
Samacsys Description：	NOR Flash spiFlash, 32M-bit, DTR, 4Kb Uniform Sector	其他特性：	2.7V NOMINAL AVAILABLE WITH 104MHZ
备用内存宽度：	1	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	JESD-609代码：	e3
长度：	9.27 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
编程电压：	3 V	座面最大高度：	5.33 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

W25Q32JV

3V 32M-BIT

SERIAL FLASH MEMORY WITH

DUAL, QUAD SPI

Publication Release Date: May 11, 2017

-Revision F

12 3 4 5 6 7...80

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
W25Q32JVSFIM	WINBOND	获取价格	Flash, 4MX8, PDSO16, SOIC-16
W25Q32JVSFIQ	WINBOND	获取价格	Flash, 4MX8, PDSO16, SOIC-16
W25Q32JVSFIQ-TR	WINBOND	获取价格	3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL, QUAD SPI
W25Q32JVSSIM	WINBOND	获取价格	Flash, 4MX8, PDSO8, SOIC-8
W25Q32JVSSIQ	WINBOND	获取价格	3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL, QUAD SPI
W25Q32JVSSIQTR	WINBOND	获取价格	Flash, 4MX8, PDSO8, SOIC-8
W25Q32JVSTIQ	WINBOND	获取价格	3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL, QUAD SPI
W25Q32JVTBIQ	WINBOND	获取价格	Flash, 4MX8, PBGA24, TFBGA-24
W25Q32JVTBIQ-TR	WINBOND	获取价格	3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL, QUAD SPI
W25Q32JVTCIQ	WINBOND	获取价格	Flash, 4MX8, PBGA24, TFBGA-24