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VS-MBR20100CT-1-M3 PDF预览

VS-MBR20100CT-1-M3

更新时间： 2024-11-12 15:57:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
10页 238K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-262AA,

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VS-MBR20100CT-1-M3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：1.67
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIDOE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：245最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：100 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

VS-MBR20100CT-1-M3 数据手册

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VS-MBRB20...CT-M3, VS-MBR20...CT-1-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 10 A  
FEATURES  
TO 263AB (D2PAK)  
TO-262AA  
• 150 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• Center tap D2PAK and TO-262 packages  
Base  
common  
cathode  
Base  
common  
cathode  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
2
2
1
1
3
3
Common  
cathode  
Common  
cathode  
Anode  
Anode  
Anode  
Anode  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VS-MBR20..CT-1-M3  
VS-MBRB20..CT-M3  
DESCRIPTION  
This center tap Schottky rectifier has been optimized for low  
reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier  
technology allows for reliable operation up to 150 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
PRODUCT SUMMARY  
IF(AV)  
2 x 10 A  
80 V, 90 V, 100 V  
0.70 V  
VR  
VF at IF  
IRM max.  
TJ max.  
EAS  
6 mA at 125 °C  
150 °C  
7 mJ  
Package  
Diode variation  
TO-263AB (D2PAK), TO-262AA  
Common cathode  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
IFRM  
CHARACTERISTICS  
Rectangular waveform (per device)  
TC = 133 °C (per leg)  
VALUES  
20  
UNITS  
A
20  
VRRM  
IFSM  
80 to 100  
850  
V
A
tp = 5 μs sine  
10 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
VF  
0.70  
V
TJ  
-65 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VS-MBRB2080CT-M3 VS-MBRB2090CT-M3 VS-MBRB20100CT-M3  
VS-MBR2080CT-1-M3 VS-MBR2090CT-1-M3 VS-MBR20100CT-1-M3  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
80  
90  
100  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
Revision: 15-Aug-15  
Document Number: 94950  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-MBR20100CT-1P VISHAY

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 		RECTIFIER DIODE
VS-MBR20100CT-1PBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-262AA, PLASTI
VS-MBR20100CTG-1 VISHAY

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 		RECTIFIER DIODE
VS-MBR20100CTG-1P VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-262AA, HALOGE
VS-MBR20100CTG-1PBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 10A, 100V V(RRM),
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VS-MBR20100CTKPBF VISHAY

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 		SCHOTTKY - TO-220-E3
VS-MBR20100CT-M3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 2 x 10 A
VS-MBR20100CT-N3 VISHAY

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 		Low forward voltage drop
VS-MBR20100CTPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGE

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