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VS-HFA16TB120PBF

更新时间： 2024-01-08 03:17:26
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效二极管
页数 文件大小 规格书
7页 174K
描述
DIODE 16 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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VS-HFA16TB120PBF 技术参数

生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：8.09
其他特性：LOW NOISE应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.7 VJEDEC-95代码：TO-220AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：190 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.135 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

VS-HFA16TB120PBF 数据手册

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VS-HFA16TB120PbF, VS-HFA16TB120-N3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Cathode to anode  
breakdown voltage  
VBR  
IR = 100 μA  
1200  
-
-
IF = 16 A  
IF = 32 A  
-
-
-
-
-
-
-
2.5  
3.2  
2.3  
0.75  
375  
27  
3.0  
3.93  
2.7  
20  
V
Maximum forward voltage  
VFM  
See fig. 1  
IF = 16 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
Maximum reverse  
leakage current  
IRM  
See fig. 2  
See fig. 3  
μA  
TJ = 125 °C, VR = 0.8 x VR rated  
VR = 200 V  
2000  
40  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
DYNAMIC RECOVERY CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
IF = 1.0 A, dIF/dt = 200 A/μs, VR = 30 V  
TJ = 25 °C  
MIN.  
TYP.  
30  
MAX.  
-
UNITS  
trr  
-
-
-
-
-
-
-
Reverse recovery time  
See fig. 5 and 10  
trr1  
90  
135  
245  
10  
ns  
trr2  
TJ = 125 °C  
164  
5.8  
IRRM1  
IRRM2  
Qrr1  
TJ = 25 °C  
Peak recovery current  
See fig. 6  
A
TJ = 125 °C  
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
8.3  
15  
IF = 16 A  
dIF/dt = 200 A/μs  
VR = 200 V  
260  
680  
675  
1838  
Reverse recovery charge  
See fig. 7  
nC  
Qrr2  
Peak rate of fall of  
recovery current during tb  
See fig. 8  
dI(rec)M/dt1 TJ = 25 °C  
dI(rec)M/dt2 TJ = 125 °C  
-
-
120  
76  
-
-
A/μs  
THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Lead temperature  
Tlead  
0.063" from case (1.6 mm) for 10 s  
-
-
300  
°C  
Thermal resistance,  
junction to case  
RthJC  
RthJA  
RthCS  
-
-
-
-
-
0.83  
80  
-
Thermal resistance,  
junction to ambient  
Typical socket mount  
K/W  
Thermal resistance,  
case to heatsink  
Mounting surface, flat, smooth and greased  
0.50  
-
-
2.0  
-
-
g
Weight  
0.07  
oz.  
6.0  
(5.0)  
12  
(10)  
kgf · cm  
(lbf · in)  
Mounting torque  
Marking device  
-
Case style TO-220AC  
HFA16TB120  
Revision: 14-Jul-15  
Document Number: 94060  
2
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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