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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> VS-8EWF12S-M3
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VS-8EWF12S-M3

更新时间： 2024-11-01 12:22:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 191K
描述
Surface Mountable Fast Soft Recovery Diode, 8A

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VS-8EWF12S-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：0.93
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.3 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：110 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.27 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

VS-8EWF12S-M3 数据手册

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VS-8EWF10S-M3, VS-8EWF12S-M3 Soft Recovery Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Surface Mountable Fast Soft Recovery Diode, 8 A  
Base  
common  
cathode  
+
FEATURES  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF  
maximum peak of 260 °C  
2
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
definition  
1
3
APPLICATIONS  
D-PAK  
-
-
Anode  
Anode  
• Output rectification and freewheeling diode in  
inverters, choppers and converters  
PRODUCT SUMMARY  
• Input rectifications where severe restrictions on  
conducted EMI should be met  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
8 A  
IF(AV)  
DESCRIPTION  
VR  
1000 V, 1200 V  
1.3 V  
The VS-8EWF..S-M3 fast soft recovery rectifier series has  
been optimized for combined short reverse recovery time,  
low forward voltage drop and low leakage current.  
VF at IF  
IFSM  
110 A  
trr  
80 ns  
The glass passivation ensures stable reliable operation in  
the most severe temperature and power cycling conditions.  
TJ max.  
Diode variation  
Snap factor  
150 °C  
Single die  
0.6  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
UNITS  
Sinusoidal waveform  
8
1000/1200  
110  
A
V
A
8 A, TJ = 25 °C  
1 A, 100 A/μs  
Range  
1.3  
V
trr  
80  
ns  
°C  
TJ  
- 40 to 150  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VS-8EWF10S-M3  
VS-8EWF12S-M3  
1000  
1200  
1100  
1300  
4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
8
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
TC = 96 °C, 180° conduction half sine wave  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
93  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
(1)  
IFSM  
110  
43  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
I2t  
A2s  
61  
Maximum I2t for fusing  
432  
A2s  
Note  
(1)  
Connecting one pin only  
Revision: 17-Nov-11  
Document Number: 93377  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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