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VS-8EWS08STRL-M3

更新时间： 2024-01-03 23:07:46
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高压大电源高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
7页 176K
描述
DIODE 8 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3, Rectifier Diode

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VS-8EWS08STRL-M3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.28
Is Samacsys：N应用：HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：120 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

VS-8EWS08STRL-M3 数据手册

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VS-8EWS08S-M3, VS-8EWS12S-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Voltage Surface Mountable Input Rectifier Diode, 8 A  
FEATURES  
Base  
• Glass passivated pellet chip junction  
cathode  
+
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 260 °C  
2
• Material categorization:  
2
for definitions of compliance please see  
3
www.vishay.com/doc?99912  
1
1
3
-
-
Anode  
Anode  
TO-252AA (D-PAK)  
APPLICATIONS  
• Input rectification  
• Vishay Semiconductors switches and output rectifiers  
which are available in identical package outlines  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-252AA (D-PAK)  
8 A  
DESCRIPTION  
IF(AV)  
The VS-8EWS..S-M3 rectifier high voltage series has been  
optimized for very low forward voltage drop, with moderate  
leakage. The glass passivation technology used has reliable  
operation up to 150 °C junction temperature.  
VR  
800 V, 1200 V  
1.1 V  
VF at IF  
IFSM  
150 A  
The high reverse voltage range available allows design of  
input stage primary rectification with outstanding voltage  
surge capability.   
TJ max.  
Diode variation  
150 °C  
Single die  
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS  
APPLICATIONS  
SINGLE-PHASE BRIDGE  
THREE-PHASE BRIDGE  
UNITS  
NEMA FR-4 or G10 glass fabric-based epoxy  
with 4 oz. (140 μm) copper  
1.2  
1.6  
A
Aluminum IMS, RthCA = 15 °C/W  
2.5  
5.5  
2.8  
6.5  
Aluminum IMS with heatsink, RthCA = 5 °C/W  
Note  
•
TA = 55 °C, TJ = 125 °C, footprint 300 mm2  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
8
UNITS  
Sinusoidal waveform  
A
V
800/1200  
150  
A
VF  
8 A, TJ = 25 °C  
1.10  
V
TJ  
-55 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
V
RRM, MAXIMUM  
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VS-8EWS08S-M3  
VS-8EWS12S-M3  
800  
900  
0.5  
1200  
1300  
Revision: 19-Jan-17  
Document Number: 93383  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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VS-8EWS08STRL-M3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-8EWS08S-M3 VISHAY

完全替代

 DIODE 8 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
8EWS08STRR VISHAY

完全替代

 Surface Mountable Input Rectifier Diode, 8 A

与VS-8EWS08STRL-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-8EWS08STRLPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 800V V(RRM), Silicon, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, P
VS-8EWS08STR-M3 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VS-8EWS08STRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 800V V(RRM), Silicon, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, P
VS-8EWS08STRR-M3 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VS-8EWS12SLHM3 VISHAY

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 		High Voltage Surface Mountable Input Rectifier Diode, 8 A
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 		DIODE 8 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
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