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VS-8EWS16STRLPBF

更新时间： 2024-02-26 11:00:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高压二极管
页数 文件大小 规格书
7页 156K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 1600V V(RRM), Silicon, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3/2

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VS-8EWS16STRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
应用：HIGH VOLTAGE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：1600 V
最大反向电流：50 µA表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

VS-8EWS16STRLPBF 数据手册

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VS-8EWS16SPbF Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 8 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
+
2
• Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
2
3
1
3
1
APPLICATIONS  
-
-
Anode  
Anode  
D-PAK  
• Input rectification  
• Vishay Semiconductors switches and output rectifiers  
which are available in identical package outlines  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
8 A  
DESCRIPTION  
IF(AV)  
The VS-8EWS16SPbF rectifier high voltage series has been  
optimized for very low forward voltage drop, with moderate  
leakage. The glass passivation technology used has reliable  
operation up to 150 °C junction temperature.  
VR  
1600 V  
VF at IF  
IFSM  
1.1 V  
150 A  
The high reverse voltage range available allows design of  
input stage primary rectification with outstanding voltage  
surge capability.   
TJ max.  
Diode variation  
150 °C  
Single die  
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS  
APPLICATIONS  
SINGLE-PHASE BRIDGE  
THREE-PHASE BRIDGE  
UNITS  
NEMA FR-4 or G10 glass fabric-based epoxy  
with 4 oz. (140 µm) copper  
1.2  
1.6  
A
Aluminum IMS, RthCA = 15 °C/W  
2.5  
5.5  
2.8  
6.5  
Aluminum IMS with heatsink, RthCA = 5 °C/W  
Note  
•
TA = 55 °C, TJ = 125 °C, footprint 300 mm2  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
8
UNITS  
Sinusoidal waveform  
A
V
1600  
150  
A
VF  
8 A, TJ = 25 °C  
1.10  
V
TJ  
-40 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PART NUMBER  
V
RSM, MAXIMUM  
VRRM, MAXIMUM  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
NON-REPETITIVE PEAK REVERSE  
VOLTAGE  
V
8EWS16SPbF  
1600  
1700  
0.5  
Revision: 18-Dec-13  
Document Number: 94350  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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与VS-8EWS16STRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-8EWS16STR-M3 VISHAY

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 		High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 8 A
VS-8EWS16STRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 1600V V(RRM), Silicon, TO-252AA, ROHS COMPLIANT,
VS-8EWS16STRR-M3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 8 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
VS-8EWS16STRRPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 1600V V(RRM), Silicon, TO-252AA, ROHS COMPLIANT,
VS-8EWX06FN-M3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VS-8EWX06FNTRL-M3 VISHAY

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 		Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt®
VS-8EWX06FNTR-M3 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VS-8EWX06FNTRR-M3 VISHAY

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 		Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt®
VS8-L2-B1-H334-00 ASTEC

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 		1000 - 2500 Watts
VS8-L2-B1-H334-00 EMERSON-NETWORKPOWER

获取价格

 		VS Series

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