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VS-8TQ080GSTRLPBF

更新时间： 2024-02-26 04:36:40
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
7页 149K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 80V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3

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VS-8TQ080GSTRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.56其他特性：FREEWHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.58 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：850 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：80 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

VS-8TQ080GSTRLPBF 数据手册

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VS-8TQ080GSPbF, VS-8TQ100GSPbF  
Vishay High Power Products  
Schottky Rectifier, 8 A  
FEATURES  
• 175 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
Base  
cathode  
2
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
3
1
D2PAK  
N/C  
Anode  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
• AEC-Q101 qualified  
PRODUCT SUMMARY  
DESCRIPTION  
IF(AV)  
8 A  
80 V/100 V  
The VS-8TQ... Schottky rectifier series has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
VR  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
Rectangular waveform  
Range  
VALUES  
8
UNITS  
A
V
80/100  
850  
tp = 5 μs sine  
A
VF  
8 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
0.58  
V
TJ  
- 55 to 175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VS-8TQ080GSPbF  
VS-8TQ100GSPbF  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
VR  
80  
100  
V
Maximum working peak reverse voltage  
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
50 % duty cycle at TC = 157 °C, rectangular waveform  
8
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
850  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
230  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 0.5 A, L = 60 mH  
7.50  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
0.5  
Document Number: 94264  
Revision: 23-Mar-10  
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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