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VS-8TQ080GSTRLPBF

更新时间： 2024-02-19 16:45:24

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威世 - VISHAY		高功率电源二极管
页数	文件大小	规格书
7页	149K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 80V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3

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VS-8TQ080GSTRLPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-263	包装说明：	R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.56	其他特性：	FREEWHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：	HIGH POWER	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.58 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	850 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	80 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

VS-8TQ080GSTRLPBF 数据手册

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VS-8TQ080GSPbF, VS-8TQ100GSPbF

Schottky Rectifier, 8 A

Vishay High Power Products

180

175

D = 0.20

D = 0.25

D = 0.33

D = 0.50

D = 0.75

170

RMS limit

165

160

Square wave (D = 0.50)

80 % rated V_Rapplied

155

150

145

See note (1)

140

I_F(AV)- Average Forward Current (A)

Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature vs.

Average Forward Current

Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics

1000

At any rated load condition

and with rated V_RRMapplied

following surge

100

1000

10 000

t_p- Square Wave Pulse Duration (µs)

Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current

High-speed

switch

IRFP460

D.U.T.

Freewheel

diode

R_g= 25 Ω

V_d= 25 V

Current

monitor

40HFL40S02

Fig. 8 - Unclamped Inductive Test Circuit

Note

(1)

Formula used: T_C= T_J- (Pd + Pd_REV) x R_thJC

;

Pd = Forward power loss = I_F(AV)x V_FMat (I_F(AV)/D) (see fig. 6);

Pd_REV= Inverse power loss = V_R1x I_R(1 - D); I_Rat V_R1= 80 % rated V_R

www.vishay.com

For technical questions, contact: diodestech@vishay.com

Document Number: 94264

Revision: 23-Mar-10

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