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VS-8TQ080STRRHM3

更新时间： 2024-11-01 20:01:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 178K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 80V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-8TQ080STRRHM3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：5.68其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.88 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：230 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：80 V
最大反向电流：550 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

VS-8TQ080STRRHM3 数据手册

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VS-8TQ080SHM3, VS-8TQ100SHM3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Performance Schottky Rectifier, 8 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
2
• 175 °C TJ operation  
• Low forward voltage drop  
• High frequency operation  
• High purity, high temperature epoxy  
encapsulation for enhanced mechanical  
strength and moisture resistance  
3
1
D2PAK (TO-263AB)  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
N/C  
Anode  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
PRODUCT SUMMARY  
• AEC-Q101 qualified meets JESD 201 class 1A whisker  
test  
IF(AV)  
8 A  
VR  
80 V, 100 V  
0.58 V  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VF at IF  
IRM  
7 mA at 125 °C  
175 °C  
DESCRIPTION  
TJ max.  
EAS  
The VS-8TQ... Schottky rectifier series has been optimized  
for low reverse leakage at high temperature. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C  
junction temperature. Typical applications are in switching  
power supplies, converters, freewheeling diodes, and  
reverse battery protection.  
7.5 mJ  
Package  
Diode variation  
D2PAK (TO-263AB)  
Single  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
8
UNITS  
Rectangular waveform  
Range  
A
V
80/100  
850  
tp = 5 μs sine  
8 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
A
VF  
0.58  
V
TJ  
-55 to +175  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-8TQ080SHM3  
VS-8TQ100SHM3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
80  
100  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 157 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
8
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated load  
condition and with rated  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
850  
IFSM  
A
230  
V
RRM applied  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 0.50 A, L = 60 mH  
7.50  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
0.50  
Revision: 08-Aug-17  
Document Number: 94961  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-8TQ080STRR-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 80V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-8TQ080STRRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 80V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/
VS-8TQ100G-N3 VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-8TQ100GSPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
VS-8TQ100GSTRRPBF VISHAY

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