5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > VS-8EWF12STR
VS-8EWF12STR PDF预览

VS-8EWF12STR

更新时间： 2024-11-01 14:36:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
8页 221K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3/2

阅读下载

中文翻译

获取价格

VS-8EWF12STR 技术参数

生命周期：Active包装说明：PLASTIC, DPAK-3/2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.72
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向电流：100 µA最大反向恢复时间：0.27 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

VS-8EWF12STR 数据手册

 浏览型号VS-8EWF12STR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VS-8EWF12STR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VS-8EWF12STR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VS-8EWF12STR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VS-8EWF12STR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VS-8EWF12STR的Datasheet PDF文件第7页 
VS-8EWF..SPbF Soft Recovery Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Surface Mount Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 8 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
+
2
• Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
2
3
1
3
1
APPLICATIONS  
-
-
Anode  
Anode  
D-PAK  
• Output rectification and freewheeling diode in inverters,  
choppers and converters  
PRODUCT SUMMARY  
• Input rectifications where severe restrictions on  
conducted EMI should be met  
Package  
D-PAK (TO-252AA)  
8 A  
IF(AV)  
VR  
1000 V, 1200 V  
1.3 V  
DESCRIPTION  
VF at IF  
IFSM  
The VS-8EWF..S-M3 fast soft recovery rectifier series has  
been optimized for combined short reverse recovery time,  
low forward voltage drop and low leakage current.  
150 A  
trr  
80 ns  
TJ max.  
Diode variation  
Snap factor  
150 °C  
The glass passivation ensures stable reliable operation in  
the most severe temperature and power cycling conditions.  
Single die  
0.6  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
8
UNITS  
Sinusoidal waveform  
A
V
1000/1200  
150  
A
8 A, TJ = 25 °C  
1 A, 100 A/µs  
Range  
1.3  
V
trr  
80  
ns  
°C  
TJ  
-40 to 150  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
8EWF10SPbF  
8EWF12SPbF  
1000  
1200  
1100  
1300  
4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
TC = 94 °C, 180° conduction half sine wave  
VALUES  
8
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied  
125  
A
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
150  
78  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
110  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
1100  
A2s  
Revision: 18-Dec-13  
Document Number: 94109  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

中文翻译

下载PDF

与VS-8EWF12STR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-8EWF12STRL-M3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 8 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DP
VS-8EWF12STR-M3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 8 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DP
VS-8EWF12STRPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-252AA, ROHS COMPLIANT,
VS-8EWF12STRR VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3/
VS-8EWF12STRR-M3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 8 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DP
VS-8EWH02FN-M3 VISHAY

获取价格

 		Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt®
VS-8EWH02FNTRL-M3 VISHAY

获取价格

 		DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK
VS-8EWH02FNTR-M3 VISHAY

获取价格

 		DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK
VS-8EWH02FNTRR-M3 VISHAY

获取价格

 		DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK
VS-8EWH06FNHM3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode,

与VS-8EWF12STR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证