生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.28 |
Samacsys Confidence: | 4 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 240615 | Samacsys Pin Count: | 3 |
Samacsys Part Category: | Diode | Samacsys Package Category: | Other |
Samacsys Footprint Name: | VS-8EWH02FN-M3-1 | Samacsys Released Date: | 2017-09-08 08:53:44 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT |
应用: | HYPERFAST SOFT RECOVERY HIGH POWER | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.85 V |
JEDEC-95代码: | TO-252AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 140 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 8 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向恢复时间: | 0.027 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
VS-8EWH02FNTRL-M3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK | |
VS-8EWH02FNTR-M3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK | |
VS-8EWH02FNTRR-M3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK | |
VS-8EWH06FNHM3 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, | |
VS-8EWH06FNM3 | VISHAY |
获取价格 |
Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt® | |
VS-8EWH06FN-M3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA | |
VS-8EWH06FNTRHM3 | VISHAY |
获取价格 |
Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt | |
VS-8EWH06FNTRLHM3 | VISHAY |
获取价格 |
Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt | |
VS-8EWH06FNTRL-M3 | VISHAY |
获取价格 |
Hyperfast Rectifier, 8 A FRED Pt | |
VS-8EWH06FNTR-M3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA |