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VS-30BQ015-M3/9AT

更新时间： 2024-11-20 20:42:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 136K
描述
DIODE 4 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, SIMILAR TO DO-214AB, 2 PIN, Rectifier Diode

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VS-30BQ015-M3/9AT 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DO-214AB
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：0.81
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.3 V
JESD-30 代码：R-PDSO-C2最大非重复峰值正向电流：650 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：15 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-30BQ015-M3/9AT 数据手册

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VS-30BQ015-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
High Performance Schottky Rectifier, 3.0 A  
FEATURES  
• Ultralow forward voltage drop  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
Cathode  
Anode  
• 125 °C TJ operation (VR < 5 V)  
• Optimized for OR-ing applications  
• High frequency operation  
SMC  
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
SMC  
3.0 A  
15 V  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
IF(AV)  
VR  
DESCRIPTION  
VF at IF  
IRM  
0.3 V  
The VS-30BQ015-M3 surface mount Schottky rectifier has  
been designed for applications requiring low forward drop  
and very small foot prints on PC boards. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 125 °C  
junction temperature. Typical applications are in disk drives,  
switching power supplies, converters, freewheeling diodes,  
battery charging, and reverse battery protection.  
50 mA at 100 °C  
125 °C  
TJ max.  
Diode variation  
EAS  
Single die  
1.5 mJ  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
3.0  
UNITS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
Rectangular waveform  
A
V
15  
tp = 5 μs sine  
1.0 Apk, TJ = 75 °C  
Range  
650  
A
0.30  
V
TJ  
-55 to +125  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-30BQ015-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
15  
25  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
3.0  
UNITS  
50 % duty cycle at TL = 83 °C, rectangular waveform  
50 % duty cycle at TL = 78 °C, rectangular waveform  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
4.0  
A
Following any rated  
loadcondition andwith  
rated VRRM applied  
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
650  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
75  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 0.5 A, L = 12 mH  
1.5  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
0.5  
Revision: 06-Sep-10  
Document Number: 93359  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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VS-30BQ015-M3/9AT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
VS-30BQ015TRPBF VISHAY

完全替代

 暂无描述
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-30BQ015-M3_15 VISHAY

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VS-30BQ015PBF VISHAY

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 		Schottky Rectifier, 3.0 A
VS-30BQ015TRPBF VISHAY

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 		暂无描述
VS-30BQ040HM3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 3.0 A
VS-30BQ040HM3/9AT VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 4A, 40V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND R
VS-30BQ040-M3 VISHAY

获取价格

 		High Performance Schottky Rectifier, 3.0 A
VS-30BQ040-M3/9AT VISHAY

获取价格

 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-30BQ040PBF VISHAY

获取价格

 		Schottky Rectifier, 3.0 A
VS-30BQ040TRPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 4A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SI
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