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VS-30BQ040-M3

更新时间： 2024-11-21 14:51:47
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 124K
描述
High Performance Schottky Rectifier, 3.0 A

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VS-30BQ040-M3 数据手册

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VS-30BQ040-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
High Performance Schottky Rectifier, 3.0 A  
FEATURES  
• Very low forward voltage drop  
• Guard ring for enhanced ruggedness and long  
term reliability  
Cathode  
Anode  
• Small foot print, surface mountable  
• High frequency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
SMC (DO-214AB)  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
3.0 A  
40 V  
DESCRIPTION  
VR  
The VS-30BQ040-M3 surface-mount Schottky rectifier has  
been designed for applications requiring low forward drop  
and small foot prints on PC boards. Typical applications are  
in disk drives, switching power supplies, converters,  
freewheeling diodes, battery charging, and reverse battery  
protection.  
VF at IF  
0.46 V  
IRM  
TJ max.  
30 mA at 125 °C  
150 °C  
EAS  
6.0 mJ  
Package  
SMC (DO-214AB)  
Single  
Circuit configuration  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
3.0  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
40  
tp = 5 μs sine  
3.0 Apk, TJ = 125 °C  
Range  
1600  
A
VF  
0.46  
V
TJ  
-55 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-30BQ040-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
40  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
3.0  
UNITS  
50 % duty cycle at TL = 115 °C, rectangular waveform  
50 % duty cycle at TL = 104 °C, rectangular waveform  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
4.0  
A
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
1600  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
IFSM  
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
90  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 1.0 A, L = 12 mH  
6.0  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical  
1.0  
Revision: 18-Apr-2019  
Document Number: 93332  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Schottky Rectifier, 3.0 A
VS-30BQ040TRPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 4A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, SI
VS-30BQ060HM3 VISHAY

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 		High Performance Schottky Rectifier, 3.0 A
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