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VS-10ETF12THM3

更新时间： 2024-11-01 21:20:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	233K
描述
Rectifier Diode,

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VS-10ETF12THM3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.61	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VS-10ETF12THM3 数据手册

VS-10ETF12THM3

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A

FEATURES

Base

cathode

• Glass passivated pellet chip junction

• Meets JESD 201 class 1A whisker test

• Flexible solution for reliable AC power

rectification

• High surge, low V_Frugged blocking diode

for DC charging stations

Cathode

Anode

2L TO-220AC

• AEC-Q101 qualified

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

PRIMARY CHARACTERISTICS

APPLICATIONS

I_F(AV)

10 A

1200 V

1.33 V

140 A

80 ns

150 °C

0.6

• On-board and off-board EV/HEV battery chargers

• Input rectification

V_R

V_Fat I_F

I_FSM

DESCRIPTION

t_rr

The VS-10ETF12THM3 fast soft recovery rectifier series has

been optimized for combined short reverse recovery time

and low forward voltage drop. 

T_Jmax.

Snap factor

The glass passivation ensures stable reliable operation in

the most severe temperature and power cycling conditions.

Package

2L TO-220AC

Single

Circuit configuration

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

SYMBOL

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

t_rr

CHARACTERISTICS

VALUES

1200

UNITS

Sinusoidal waveform

140

1 A, 100 A/μs

V_F

10 A, T_J= 25 °C

1.33

T_J

-40 to +150

°C

VOLTAGE RATINGS

PART NUMBER

V_RRM, MAXIMUM PEAK REVERSE

V_RSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE

I_RRM

AT 150 °C

VOLTAGE

PEAK REVERSE VOLTAGE

VS-10ETF12THM3

1200

1300

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Maximum average forward current

I_F(AV)

T_C= 125 °C, 180° conduction half sine wave

10 ms sine pulse, rated V_RRMapplied

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

10 ms sine pulse, rated V_RRMapplied

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied

115

140

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

I_FSM

Maximum I²t for fusing

I²t

A²s

Maximum I²t for fusing

I²t

940

A²s

Revision: 06-Jul-2018

Document Number: 96540

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VS-10ETF1PBF	VISHAY	获取价格	Fast Soft Recovery Rectifier Diode, 10 A
VS-10ETS08FP-M3	VISHAY	获取价格	High Voltage, Input Rectifier Diode, 10 A
VS-10ETS08FPPBF	VISHAY	获取价格	DIODE GP 800V 10A TO220ACFP
VS-10ETS08-M3	VISHAY	获取价格	DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-10ETS08PBF	VISHAY	获取价格	DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-10ETS08S-M3	VISHAY	获取价格	High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 10 A
VS-10ETS08SPbF	VISHAY	获取价格	High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 10 A
VS-10ETS08STRL-M3	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 800V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-10ETS08STRLPBF	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
VS-10ETS08STRR-M3	VISHAY	获取价格	High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 10 A

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