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VS-10ETS08-M3

更新时间： 2024-11-01 15:57:39
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威世 - VISHAY 局域网高压二极管
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7页 182K
描述
DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

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VS-10ETS08-M3 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.68
应用：HIGH VOLTAGE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：160 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向电流：50 µA
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

VS-10ETS08-M3 数据手册

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VS-10ETS...PbF Series, VS-10ETS...M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Voltage, Input Rectifier Diode, 10 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
• Very low forward voltage drop  
• 150 °C max. operating junction temperature  
• Glass passivated pellet chip junction  
2
2
• Designed and qualified according to  
JEDEC®-JESD 47  
3
1
3
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
1
TO-220AC  
Cathode Anode  
Available  
www.vishay.com/doc?99912  
APPLICATIONS  
• Input rectification  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
TO-220AC  
10 A  
• Vishay Semiconductors switches and output rectifiers  
which are available in identical package outlines  
IF(AV)  
VR  
800 V to 1200 V  
1.1 V  
DESCRIPTION  
VF at IF  
IFSM  
High voltage rectifiers optimized for very low forward  
voltage drop with moderate leakage.  
160 A  
TJ max.  
Diode variation  
150 °C  
These devices are intended for use in main rectification  
(single or three phase bridge).  
Single die  
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS  
APPLICATIONS  
SINGLE-PHASE BRIDGE  
THREE-PHASE BRIDGE  
UNITS  
Capacitive input filter TA = 55 °C, TJ = 125 °C  
common heatsink of 1 °C/W  
12.0  
16.0  
A
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
10  
UNITS  
Sinusoidal waveform  
A
V
800/1200  
160  
A
VF  
10 A, TJ = 25 °C  
1.1  
V
TJ  
-40 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VS-10ETS08PbF, VS-10ETS08-M3  
VS-10ETS12PbF, VS-10ETS12-M3  
800  
900  
0.5  
1200  
1300  
Revision: 12-Feb-16  
Document Number: 94337  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-10ETS08PBF VISHAY

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 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
VS-10ETS08S-M3 VISHAY

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 		High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 10 A
VS-10ETS08SPbF VISHAY

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 		High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 10 A
VS-10ETS08STRL-M3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 800V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-10ETS08STRLPBF VISHAY

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