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VS-10ETS12STRL-M3

更新时间： 2024-11-01 14:45:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高压二极管
页数 文件大小 规格书
11页 266K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-10ETS12STRL-M3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：D2PAK-3/2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：5.68
Is Samacsys：N应用：HIGH VOLTAGE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：160 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向电流：50 µA
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

VS-10ETS12STRL-M3 数据手册

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VS-10ETS08S-M3, VS-10ETS10S-M3, VS-10ETS12S-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 10 A  
FEATURES  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF  
maximum peak of 245 °C  
Base  
cathode  
2
• Glass passivated pellet chip junction  
• Designed and qualified according to  
JEDEC®-JESD 47  
2
1
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
1
3
3
Anode  
Anode  
D2PAK (TO-263AB)  
APPLICATIONS  
• Input rectification  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
• Vishay switches and output rectifiers which are available  
in identical package outlines  
IF(AV)  
10 A  
VR  
VF at IF  
800 V, 1000 V, 1200 V  
1.1 V  
DESCRIPTION  
The VS-10ETS..S-M3 rectifier series has been optimized for  
very low forward voltage drop, with moderate leakage. The  
glass passivation technology used has reliable operation up  
to 150 °C junction temperature.  
IFSM  
160 A  
TJ max.  
150 °C  
D2PAK (TO-263AB)  
Package  
Circuit configuration  
Single  
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS  
APPLICATIONS  
SINGLE-PHASE BRIDGE  
THREE-PHASE BRIDGE  
UNITS  
Capacitive input filter TA = 55 °C, TJ = 125 °C  
common heatsink of 1 °C/W  
12.0  
16.0  
A
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
10  
UNITS  
Sinusoidal waveform  
A
V
800 to 1200  
160  
A
VF  
10 A, TJ = 25 °C  
1.1  
V
TJ  
-40 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VS-10ETS08S-M3  
VS-10ETS10S-M3  
VS-10ETS12S-M3  
800  
1000  
1200  
900  
1100  
1300  
0.5  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
TC = 105 °C, 180° conduction half sine wave  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
10  
135  
160  
91  
A
Maximum peak one cycle   
non-repetitive surge current  
IFSM  
Maximum I2t for fusing  
Maximum I2t for fusing  
Revision: 04-Jan-18  
I2t  
A2s  
130  
1290  
I2t  
A2s  
Document Number: 94888  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-10ETS12STRLPbF VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COM
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