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VS-10ETS12SPBF

更新时间： 2024-11-01 15:57:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高电压电源高压二极管
页数 文件大小 规格书
6页 178K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMD-220, D2PAK-3

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VS-10ETS12SPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.36
应用：HIGH VOLTAGE POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

VS-10ETS12SPBF 数据手册

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VS-10ETS...PbF Series, VS-10ETS...M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Voltage, Input Rectifier Diode, 10 A  
FEATURES  
Base  
cathode  
• Very low forward voltage drop  
• 150 °C max. operating junction temperature  
2
• Designed and qualified according to  
JEDEC-JESD47  
2
3
• Material categorization:  
1
1
3
For definitions of compliance please see  
Cathode Anode  
www.vishay.com/doc?99912  
Available  
TO-220AC  
APPLICATIONS  
• Input rectification  
PRODUCT SUMMARY  
• Vishay Semiconductors switches and output rectifiers  
which are available in identical package outlines  
Package  
TO-220AC  
10 A  
IF(AV)  
VR  
800 V to 1200 V  
1.1 V  
DESCRIPTION  
High voltage rectifiers optimized for very low forward  
voltage drop with moderate leakage.  
VF at IF  
IFSM  
160 A  
TJ max.  
Diode variation  
150 °C  
These devices are intended for use in main rectification  
(single or three phase bridge).  
Single die  
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS  
APPLICATIONS  
SINGLE-PHASE BRIDGE  
THREE-PHASE BRIDGE  
UNITS  
Capacitive input filter TA = 55 °C, TJ = 125 °C  
common heatsink of 1 °C/W  
12.0  
16.0  
A
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
10  
UNITS  
Sinusoidal waveform  
A
V
800/1200  
160  
A
VF  
10 A, TJ = 25 °C  
1.1  
V
TJ  
- 40 to 150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VS-10ETS08PbF, VS-10ETS08-M3  
VS-10ETS12PbF, VS-10ETS12-M3  
800  
900  
0.5  
1200  
1300  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
TC = 105 °C, 180° conduction half sine wave  
10  
135  
160  
91  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
A
Maximum peak one cycle   
non-repetitive surge current  
IFSM  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
130  
1300  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
A2s  
Revision: 26-Jul-13  
Document Number: 94337  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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