5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > VS-10ETS08STRL-M3
VS-10ETS08STRL-M3 PDF预览

VS-10ETS08STRL-M3

更新时间： 2024-11-01 14:45:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高压二极管
页数 文件大小 规格书
11页 266K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 800V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

阅读下载

中文翻译

获取价格

VS-10ETS08STRL-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：D2PAK-3/2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：5.65
应用：HIGH VOLTAGE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：160 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245最大重复峰值反向电压：800 V
最大反向电流：50 µA表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

VS-10ETS08STRL-M3 数据手册

 浏览型号VS-10ETS08STRL-M3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号VS-10ETS08STRL-M3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VS-10ETS08STRL-M3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VS-10ETS08STRL-M3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VS-10ETS08STRL-M3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VS-10ETS08STRL-M3的Datasheet PDF文件第7页 
VS-10ETS08S-M3, VS-10ETS10S-M3, VS-10ETS12S-M3 Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 10 A  
FEATURES  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF  
maximum peak of 245 °C  
Base  
cathode  
2
• Glass passivated pellet chip junction  
• Designed and qualified according to  
JEDEC®-JESD 47  
2
1
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
1
3
3
Anode  
Anode  
D2PAK (TO-263AB)  
APPLICATIONS  
• Input rectification  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
• Vishay switches and output rectifiers which are available  
in identical package outlines  
IF(AV)  
10 A  
VR  
VF at IF  
800 V, 1000 V, 1200 V  
1.1 V  
DESCRIPTION  
The VS-10ETS..S-M3 rectifier series has been optimized for  
very low forward voltage drop, with moderate leakage. The  
glass passivation technology used has reliable operation up  
to 150 °C junction temperature.  
IFSM  
160 A  
TJ max.  
150 °C  
D2PAK (TO-263AB)  
Package  
Circuit configuration  
Single  
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS  
APPLICATIONS  
SINGLE-PHASE BRIDGE  
THREE-PHASE BRIDGE  
UNITS  
Capacitive input filter TA = 55 °C, TJ = 125 °C  
common heatsink of 1 °C/W  
12.0  
16.0  
A
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
10  
UNITS  
Sinusoidal waveform  
A
V
800 to 1200  
160  
A
VF  
10 A, TJ = 25 °C  
1.1  
V
TJ  
-40 to +150  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
VRRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
VRSM, MAXIMUM NON-REPETITIVE  
IRRM  
AT 150 °C  
mA  
PART NUMBER  
PEAK REVERSE VOLTAGE  
V
VS-10ETS08S-M3  
VS-10ETS10S-M3  
VS-10ETS12S-M3  
800  
1000  
1200  
900  
1100  
1300  
0.5  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
IF(AV)  
TC = 105 °C, 180° conduction half sine wave  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
10 ms sine pulse, rated VRRM applied  
10 ms sine pulse, no voltage reapplied  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
10  
135  
160  
91  
A
Maximum peak one cycle   
non-repetitive surge current  
IFSM  
Maximum I2t for fusing  
Maximum I2t for fusing  
Revision: 04-Jan-18  
I2t  
A2s  
130  
1290  
I2t  
A2s  
Document Number: 94888  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与VS-10ETS08STRL-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-10ETS08STRLPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
VS-10ETS08STRR-M3 VISHAY

获取价格

 		High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 10 A
VS-10ETS08STRRPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 800V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
VS-10ETS10S-M3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-10ETS10SPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COM
VS-10ETS10STRL-M3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2
VS-10ETS10STRLPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COM
VS-10ETS10STRR-M3 VISHAY

获取价格

 		High Voltage Surface Mount Input Rectifier Diode, 10 A
VS-10ETS10STRRPBF VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COM
VS-10ETS12FPPBF VISHAY

获取价格

 		DIODE RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

与VS-10ETS08STRL-M3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证