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VN2410LSTR

更新时间： 2024-11-10 13:15:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
5页 58K
描述
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VN2410LSTR 数据手册

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TN2410L, VN2406D/L, VN2410L/LS  
Vishay Siliconix  
N-Channel 240-V (D-S) MOSFETs  
PRODUCT SUMMARY  
Part Number  
V(BR)DSS Min (V)  
rDS(on) Max (ꢀ )  
VGS(th) (V)  
ID (A)  
TN2410L  
VN2406D  
VN2406L  
VN2410L  
VN2410LS  
10 @ V = 4.5 V  
0.5 to 1.8  
0.8 to 2  
0.8 to 2  
0.8 to 2  
0.8 to 2  
0.18  
1.12  
0.18  
0.18  
0.19  
GS  
6 @ V = 10 V  
GS  
240  
6 @ V = 10 V  
GS  
10 @ V = 10 V  
GS  
10 @ V = 10 V  
GS  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D
D
D
D
D
Low On-Resistance: 3.5  
Secondary Breakdown Free: 260 V  
Low Power/Voltage Driven  
Low Input and Output Leakage  
Excellent Thermal Stability  
ꢀ
D
D
D
D
D
Low Offset Voltage  
Full-Voltage Operation  
Easily Driven Without Buffer  
Low Error Voltage  
No High-Temperature “Run-Away”  
D
High-Voltage Drivers: Relays, Solenoids, Lamps,  
Hammers, Displays, Transistors, etc.  
Telephone Mute Switches, Ringer Circuits  
Power Supply, Converters  
Motor Control  
D
D
D
’Device Marking  
Front View  
TO-226AA  
TN2410L  
TO-92S  
TO-220AB  
(TO-92)  
(Copper Lead Frame)  
“S” TN  
2410L  
xxyy  
(Tab Drain)  
’Device Marking  
Front View  
1
2
’Device Marking  
Front View  
S
1
2
3
S
G
D
1
2
3
G
D
S
VN2406L  
VN2410LS  
VN2406D  
G
D
“S” VN  
2406L  
xxyy  
“S” VN  
2410LS  
xxyy  
VN2406D  
3
“S” xxyy  
VN2410L  
“S” = Siliconix Logo  
xxyy = Date Code  
“S” = Siliconix Logo  
xxyy = Date Code  
Top View  
“S” VN  
2410L  
xxyy  
Top View  
TN2410L  
VN2406L  
VN2410L  
Top View  
VN2406D  
VN2410LS  
“S” = Siliconix Logo  
xxyy = Date Code  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
TN2410L VN2406Db VN2406L  
VN2410L VN2410LS  
Unit  
Drain-Source Voltage  
V
240  
"20  
0.18  
0.11  
1
240  
"20  
1.12  
0.7  
3
240  
"20  
0.18  
0.11  
1.7  
240  
"20  
0.18  
0.11  
1.7  
240  
"20  
0.19  
0.12  
2
DS  
GS  
V
Gate-Source Voltage  
V
T = 25_C  
A
Continuous Drain Current  
I
D
(T = 150_C)  
J
T = 100_C  
A
A
a
Pulsed Drain Current  
I
DM  
T = 25_C  
0.8  
20  
0.8  
0.8  
0.9  
A
Power Dissipation  
P
W
D
T = 100_C  
A
0.32  
156  
8
0.32  
156  
0.32  
156  
0.4  
c
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
thJA  
6.25  
139  
_C/W  
_C  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
stg  
Notes  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
b. Reference case for all temperature testing.  
c. Maximum junction-to-case  
Document Number: 70204  
S-04279—Rev. F, 16-Jul-01  
www.vishay.com  
11-1  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VN2410LS-TR1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN2410LTR TEMIC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN2410LZL1 ROCHESTER

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 		200mA, 240V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, CASE 29-11, 3 PIN
VN2410LZL1G ROCHESTER

获取价格

 		暂无描述
VN2410LZL1G ONSEMI

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 		Small Signal MOSFET 240V 200mA 10 Ohm Single N-Channel TO-92 Logic Level
VN2410M ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 200MA I(D) | TO-237
VN2410M-1 VISHAY

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VN2410M-1-18 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN2410M18-1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
VN2410M18-2 VISHAY

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