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V20D202C_15

更新时间： 2024-12-01 01:26:15

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威世 - VISHAY		/
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V20D202C_15 数据手册

V20D202C

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES

TMBS^®eSMP^®Series

• Trench MOS Schottky technology generation 2

TO-263AC (SMPD)

• Very low profile - typical height of 1.7 mm

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

Top View

Bottom View

• AEC-Q101 qualified available:

- Automotive ordering code: base P/NHM3

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

V20D202C

PIN 1

PIN 2

HEATSINK

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

2 x 10.0 A

200 V

MECHANICAL DATA

V_RRM

Case: TO-263AC (SMPD)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant

I_FSM

V_Fat I_F= 10.0 A (T_A= 125 °C)

T_Jmax.

150 A

0.68 V

175 °C

Base P/NHM3

- halogen-free, RoHS-compliant, and

AEC-Q101 qualified

Package

TO-263AC (SMPD)

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

Diode variations

Dual common cathode

M3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: As marked

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V20D202C

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

200

per device

per diode

Maximum average forward rectified current

(fig. 1)

I_F(AV)

Maximum DC reverse voltage

V_DC

I_FSM

160

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

150

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

10 000

V/μs

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-40 to +175

Revision: 10-Feb-15

Document Number: 87747

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
V20D202CHM3_A/I	VISHAY	获取价格	RECTIFIER DIODE,
V20D202C-M3/I	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AC, HALOGE
V20D230P	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D250	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D250P	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D275	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D275P	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D300P	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D320	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D320P	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。

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