5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > V20D202C-M3/I
V20D202C-M3/I PDF预览

V20D202C-M3/I

更新时间： 2024-09-24 19:46:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 103K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPD, 3/2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

V20D202C-M3/I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.73其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.9 V
JEDEC-95代码：TO-263ACJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：150 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

V20D202C-M3/I 数据手册

 浏览型号V20D202C-M3/I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V20D202C-M3/I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V20D202C-M3/I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V20D202C-M3/I的Datasheet PDF文件第5页 
V20D202C  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
FEATURES  
TMBS® eSMP® Series  
• Trench MOS Schottky technology generation 2  
TO-263AC (SMPD)  
• Very low profile - typical height of 1.7 mm  
• Ideal for automated placement  
K
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
1
of 260 °C  
2
Top View  
Bottom View  
• AEC-Q101 qualified available:  
- Automotive ordering code: base P/NHM3  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
V20D202C  
PIN 1  
PIN 2  
K
HEATSINK  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency DC/DC converters, switching  
power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and  
reverse battery protection.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 10.0 A  
200 V  
MECHANICAL DATA  
VRRM  
Case: TO-263AC (SMPD)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant  
IFSM  
VF at IF = 10.0 A (TA = 125 °C)  
TJ max.  
150 A  
0.68 V  
175 °C  
Base P/NHM3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
AEC-Q101 qualified  
Package  
TO-263AC (SMPD)  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
Diode variations  
Dual common cathode  
M3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: As marked  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V20D202C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
200  
20  
V
per device  
per diode  
Maximum average forward rectified current  
(fig. 1)  
IF(AV)  
A
10  
Maximum DC reverse voltage  
VDC  
IFSM  
160  
V
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
150  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/μs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-40 to +175  
Revision: 10-Feb-15  
Document Number: 87747  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

中文翻译

下载PDF

与V20D202C-M3/I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V20D230P LITTELFUSE

获取价格

 		UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D250 LITTELFUSE

获取价格

 		UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D250P LITTELFUSE

获取价格

 		UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D275 LITTELFUSE

获取价格

 		UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D275P LITTELFUSE

获取价格

 		UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D300P LITTELFUSE

获取价格

 		UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D320 LITTELFUSE

获取价格

 		UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D320P LITTELFUSE

获取价格

 		UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D45C VISHAY

获取价格

 		Dual Low-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF
V20D60C VISHAY

获取价格

 		Dual Low-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF

与V20D202C-M3/I相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证