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V20D202C-M3/I PDF预览

V20D202C-M3/I

更新时间： 2024-11-20 19:46:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 103K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPD, 3/2 PIN

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V20D202C-M3/I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.73其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.9 V
JEDEC-95代码：TO-263ACJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向电流：150 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

V20D202C-M3/I 数据手册

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V20D202C  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
FEATURES  
TMBS® eSMP® Series  
• Trench MOS Schottky technology generation 2  
TO-263AC (SMPD)  
• Very low profile - typical height of 1.7 mm  
• Ideal for automated placement  
K
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
1
of 260 °C  
2
Top View  
Bottom View  
• AEC-Q101 qualified available:  
- Automotive ordering code: base P/NHM3  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
V20D202C  
PIN 1  
PIN 2  
K
HEATSINK  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency DC/DC converters, switching  
power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and  
reverse battery protection.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 10.0 A  
200 V  
MECHANICAL DATA  
VRRM  
Case: TO-263AC (SMPD)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant  
IFSM  
VF at IF = 10.0 A (TA = 125 °C)  
TJ max.  
150 A  
0.68 V  
175 °C  
Base P/NHM3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
AEC-Q101 qualified  
Package  
TO-263AC (SMPD)  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
Diode variations  
Dual common cathode  
M3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: As marked  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V20D202C  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
200  
20  
V
per device  
per diode  
Maximum average forward rectified current  
(fig. 1)  
IF(AV)  
A
10  
Maximum DC reverse voltage  
VDC  
IFSM  
160  
V
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
150  
Voltage rate of change (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/μs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-40 to +175  
Revision: 10-Feb-15  
Document Number: 87747  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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