Datasheet > V20D202CHM3_A/I

V20D202CHM3_A/I

更新时间： 2024-11-20 21:11:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	108K
描述
RECTIFIER DIODE,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

V20D202CHM3_A/I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	5.73	Base Number Matches：	1

V20D202CHM3_A/I 数据手册

V20D202C

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Dual High-Voltage TMBS^®(Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES

eSMP^®Series

SMPD (TO-263AC)

• Trench MOS Schottky technology generation 2

• Very low profile - typical height of 1.7 mm

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

Top View

Bottom View

• AEC-Q101 qualified available:

- Automotive ordering code: base P/NHM3

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

V20D202C

PIN 1

PIN 2

HEATSINK

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection.

DESIGN SUPPORT TOOLS AVAILABLE

3D Models

MECHANICAL DATA

Case: SMPD (TO-263AC)

PRIMARY CHARACTERISTICS

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant

Base P/NHM3_X - halogen-free, RoHS-compliant, and

AEC-Q101 qualified

I_F(AV)

2 x 10.0 A

200 V

V_RRM

I_FSM

V_Fat I_F= 10.0 A (T_A= 125 °C)

T_Jmax.

150 A

(X_denotes revision code e.g. A, B, ...)

0.68 V

175 °C

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

Package

SMPD (TO-263AC)

Common cathode

Polarity: As marked

Circuit configuration

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V20D202C

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

200

per device

per diode

Maximum average forward rectified current

(fig. 1)

I_F(AV)

Maximum DC reverse voltage

V_DC

I_FSM

160

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

150

Voltage rate of change (rated V_R)

dV/dt

10 000

V/μs

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

-40 to +175

Revision: 11-Mar-2019

Document Number: 87747

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与V20D202CHM3_A/I相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
V20D202C-M3/I	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AC, HALOGE
V20D230P	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D250	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D250P	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D275	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D275P	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D300P	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D320	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D320P	LITTELFUSE	获取价格	UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。
V20D45C	VISHAY	获取价格	Dual Low-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF

与V20D202CHM3_A/I相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

V20D202CHM3_A/I

V20D202CHM3_A/I 技术参数

V20D202CHM3_A/I 数据手册

与V20D202CHM3_A/I相关器件

与V20D202CHM3_A/I相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

V20D202CHM3_A/I

V20D202CHM3_A/I 技术参数

V20D202CHM3_A/I 数据手册

与V20D202CHM3_A/I相关器件

与V20D202CHM3_A/I相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？