是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8533.40.40.00 | 风险等级: | 1.23 |
电路直流最大电压: | 170 V | 电路RMS最大电压: | 130 V |
最大能量吸收容量: | 12.5 J | JESD-609代码: | e3 |
安装特点: | THROUGH HOLE MOUNT | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装形状: | DISK PACKAGE | 包装方法: | BULK |
额定功率耗散 (P): | 0.25 W | 额定温度: | 85 °C |
参考标准: | CECC42201-006 | 电阻器类型: | VARISTOR |
子类别: | Non-linear Resistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子位置: | RADIAL |
端子形状: | WIRE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
V20D150P | LITTELFUSE |
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UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。 |
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V20D170C | VISHAY |
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Dual High Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier |
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V20D170C-M3/I | VISHAY |
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Rectifier Diode, |
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V20D175 | LITTELFUSE |
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UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。 |
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V20D175P | LITTELFUSE |
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V20D202C | VISHAY |
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Dual High-Voltage TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier |
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V20D202C_15 | VISHAY |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
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V20D202CHM3_A/I | VISHAY |
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RECTIFIER DIODE, |
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V20D202C-M3/I | VISHAY |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AC, HALOGE |
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V20D230P | LITTELFUSE |
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UltraMOV金属氧化压敏电阻用于要求高波峰浪涌额定电流和具有高能量吸收能力的应用设备。 |
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