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| 生命周期： | Active | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, MINIATURE, GLASS, B, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 80 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UT3040 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS |
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| UT3055 | UTC |
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12A, 25V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| UT3055G-TM3-T | UTC |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 25V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| UT3055G-TN3-R | UTC |
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暂无描述 |
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| UT3055G-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 25V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| UT3055L-TM3-T | UTC |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 25V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| UT3055L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
12A, 25V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| UT3055L-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 25V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| UT3055-TM3-T | UTC |
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Transistor |
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| UT3055-TN3-R | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 25V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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