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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.67 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.095 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UT3055L-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 25V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| UT3055-TM3-T | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
| UT3055-TN3-R | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 25V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| UT3055-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 25V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| UT3060 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
| UT3060E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
|
| UT3080 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon, |
|
| UT3080E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon, |
|
| UT30N03 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| UT30N03_15 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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