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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.67 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 25 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.095 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UT3060 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
| UT3060E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
|
| UT3080 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon, |
|
| UT3080E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, Silicon, |
|
| UT30N03 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| UT30N03_15 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| UT30N03G-TF3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| UT30N03G-TN3-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| UT30N03G-TN3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| UT30N03L-TF3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
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