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UT30N03G-TN3-R

更新时间： 2024-10-30 07:08:59

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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UT30N03G-TN3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
雪崩能效等级（Eas）：	90 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UT30N03G-TN3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT30N03

Power MOSFET

N-CHANNEL

ENHANCEMENT MODE

FEATURES

* R_DS(ON)= 30mΩ @V_GS= 10 V

* Low Capacitance

* Optimized gate charge

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

SYMBOL

2.Drain

*Pb-free plating product number: UT30N03L

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Packing

Package

Lead Free

Halogen Free

UT30N03L-TN3-R

UT30N03L-TN3-T

UT30N03G-TN3-R

UT30N03G-TN3-T

TO-252

Tape Reel

Tube

www.unisonic.com.tw

1 of 4

QW-R502-140.B

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UT30N03L-TN3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT30N03-TN3-R	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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