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UPD42S4190AG5-60

更新时间: 2024-01-31 05:11:03
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 644K
描述
Fast Page DRAM, 256KX18, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40

UPD42S4190AG5-60 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP, TSOP40/44,.46,32
针数:44Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:60 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G40
JESD-609代码:e0内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:18
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP40/44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024自我刷新:YES
最大待机电流:0.0003 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.13 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

UPD42S4190AG5-60 数据手册

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256KX18 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40