生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SOJ, |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 60 ns | 其他特性: | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J40 | 长度: | 26.29 mm |
内存密度: | 4718592 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 40 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX18 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
座面最大高度: | 3.7 mm | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD42S4190LLE-A70 | RENESAS |
获取价格 |
256KX18 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
![]() |
UPD42S4190LLE-A80 | RENESAS |
获取价格 |
IC,DRAM,FAST PAGE,256KX18,CMOS,SOJ,40PIN,PLASTIC |
![]() |
UPD42S4190LLE-A80 | NEC |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
![]() |
UPD42S4190LV-A60 | NEC |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 256KX18, 60ns, CMOS, PZIP40, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-40 |
![]() |
UPD42S4190LV-A70 | NEC |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PZIP40, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-40 |
![]() |
UPD42S4190LV-A80 | NEC |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PZIP40, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-40 |
![]() |
UPD42S4190LV-A80 | RENESAS |
获取价格 |
IC,DRAM,FAST PAGE,256KX18,CMOS,ZIP,40PIN,PLASTIC |
![]() |
UPD42S4210AG5-50 | ETC |
获取价格 |
x16 EDO Page Mode DRAM |
![]() |
UPD42S4210AG5-60 | ETC |
获取价格 |
x16 EDO Page Mode DRAM |
![]() |
UPD42S4210AG5-70 | ETC |
获取价格 |
x16 EDO Page Mode DRAM |
![]() |