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UPD42S4210LE-70

更新时间: 2024-09-24 20:30:11
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
47页 1416K
描述
EDO DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40

UPD42S4210LE-70 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SOJ,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:70 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-J40长度:26.29 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.7 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

UPD42S4210LE-70 数据手册

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