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UPD42S4260G5-80

更新时间: 2024-01-30 03:51:58
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
39页 825K
描述
x16 Fast Page Mode DRAM

UPD42S4260G5-80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:80 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G40JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP40/44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
自我刷新:YES最大待机电流:0.00015 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.145 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

UPD42S4260G5-80 数据手册

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