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UPD42S4260LG5-A80

更新时间: 2024-02-03 08:05:04
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
44页 791K
描述
Fast Page DRAM, 256KX16, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40

UPD42S4260LG5-A80 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TSOP2,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G40
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:1.1 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

UPD42S4260LG5-A80 数据手册

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