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UPD42S4210ALLE-A70

更新时间: 2024-01-08 21:40:44
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其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
44页 901K
描述
x16 EDO Page Mode DRAM

UPD42S4210ALLE-A70 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SOJ,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-J40
长度:26.29 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:3.7 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

UPD42S4210ALLE-A70 数据手册

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