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UPD42S4210G5-70-7JF

更新时间: 2024-09-25 07:22:07
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
47页 1416K
描述
EDO DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40

UPD42S4210G5-70-7JF 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TSOP2,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.55
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G40
长度:18.41 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm

UPD42S4210G5-70-7JF 数据手册

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