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UPD42S4210LE-60-G

更新时间: 2024-01-29 13:22:10
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
47页 1416K
描述
IC,DRAM,EDO,256KX16,CMOS,SOJ,40PIN,PLASTIC

UPD42S4210LE-60-G 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ,
针数:40Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.33Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-J40
长度:26.29 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.7 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

UPD42S4210LE-60-G 数据手册

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