5秒后页面跳转
UPD42S4210AG5-60 PDF预览

UPD42S4210AG5-60

更新时间: 2024-01-14 16:06:13
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
48页 918K
描述
x16 EDO Page Mode DRAM

UPD42S4210AG5-60 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2,
针数:44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.63Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G40
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:1.1 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

UPD42S4210AG5-60 数据手册

 浏览型号UPD42S4210AG5-60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UPD42S4210AG5-60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UPD42S4210AG5-60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UPD42S4210AG5-60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UPD42S4210AG5-60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UPD42S4210AG5-60的Datasheet PDF文件第7页 
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  

与UPD42S4210AG5-60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD42S4210AG5-70 ETC

获取价格

x16 EDO Page Mode DRAM
UPD42S4210ALE-50 ETC

获取价格

x16 EDO Page Mode DRAM
UPD42S4210ALE-60 ETC

获取价格

x16 EDO Page Mode DRAM
UPD42S4210ALE-70 ETC

获取价格

x16 EDO Page Mode DRAM
UPD42S4210ALG5-A60 ETC

获取价格

x16 EDO Page Mode DRAM
UPD42S4210ALG5-A70 ETC

获取价格

x16 EDO Page Mode DRAM
UPD42S4210ALG5-A80 ETC

获取价格

x16 EDO Page Mode DRAM
UPD42S4210ALLE-A60 ETC

获取价格

x16 EDO Page Mode DRAM
UPD42S4210ALLE-A70 ETC

获取价格

x16 EDO Page Mode DRAM
UPD42S4210ALLE-A80 ETC

获取价格

x16 EDO Page Mode DRAM