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UPD42S4190AG5M-70

更新时间： 2024-02-11 20:13:23

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	644K
描述
Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44/40

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UPD42S4190AG5M-70 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSOP2-R,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	40
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2-R
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	1.13 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UPD42S4190AG5M-80	NEC	Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44/40	获取价格
UPD42S4190AG5M-80	RENESAS	IC,DRAM,FAST PAGE,256KX18,CMOS,TSOP,40PIN,PLASTIC	获取价格
UPD42S4190ALE-60	NEC	Fast Page DRAM, 256KX18, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40	获取价格
UPD42S4190ALE-70	NEC	Fast Page DRAM, 256KX18, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40	获取价格
UPD42S4190ALE-80	NEC	Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40	获取价格
UPD42S4190ALE-80	RENESAS	256KX18 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40	获取价格