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UPD42S4190LG5-A80

更新时间: 2024-01-18 06:44:08
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 1312K
描述
256KX18 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO40, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40

UPD42S4190LG5-A80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP, TSOP40/44,.46,32
针数:44Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:80 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G40JESD-609代码:e0
内存密度:4718592 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:18端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP40/44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
自我刷新:YES最大待机电流:0.0001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.1 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

UPD42S4190LG5-A80 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD42S4190LG5M-A60 RENESAS

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IC,DRAM,FAST PAGE,256KX18,CMOS,TSOP,40PIN,PLASTIC
UPD42S4190LG5M-A60 NEC

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Fast Page DRAM, 256KX18, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44/40
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Fast Page DRAM, 256KX18, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-44/40
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Fast Page DRAM, 256KX18, 60ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
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IC,DRAM,FAST PAGE,256KX18,CMOS,SOJ,40PIN,PLASTIC
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